[发明专利]一种掺杂蒽类有机化合物薄膜的制备方法及其应用

摘要

本发明涉及一种掺杂蒽类有机化合物薄膜的制备方法及其应用，引入了一种新的适合于PCBM的导电蒽化物摻杂，ABMG具有良好的导电性，因此其在PCBM里的混合浓度可以达到10%‑15%而不降低PCBM的电子传输性能，混合了ABMG之后的PCBM成膜也更为平整、覆盖更为完全。本发明通过在传统电子传输层材料PCBM中混入成膜性好、导电性好的摻氟蒽化物ABMG，得到了高度平整、覆盖完全的电子传输层薄膜。同时将这种薄膜技术应用到钙钛矿太阳能电池上，使得太阳能电池的电压、填充因子和转化效率都得到提高，多批太阳能电池的效率均一性和可重复性也得到提高。

主权项

一种掺杂蒽类有机化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，溶解PCBM（富勒烯衍生物），在25摄氏度室温和标准大气压的条件下，将PCBM粉末按照5~40mg/mL的比例溶解于溶剂U中，60~90摄氏度加热1~6小时，得到PCBM的溶液；第二步，制备PCBM/ABMG混合溶液，将掺杂蒽类有机化合物（ABMG）加入到在第一步配得的PCBM溶液中，ABMG：PCBM的质量比为5~30:100，持续加热搅拌，ABMG彻底溶解后得到所需的摻杂了ABMG的混合溶液；第三步，制备含有ABMG的电子传输层薄膜，在任意表面清洁的基底上面，迅速均匀地涂抹第二步得到的ABMG/PCBM混合溶液，生成的薄膜厚度在10~100纳米之间，涂抹的方式包括但不限于旋涂、刀片刮涂、棒式涂布、夹缝式挤压型涂布、喷涂和喷墨印刷；其中，在第一步骤中的溶剂U是氯苯溶剂、邻二氯苯溶剂、氯仿溶剂或甲苯溶剂中任意一种；在第三步骤中的基底包括但不限于普通玻璃基底、玻璃/ITO基底、玻璃/ITO/过渡层/钙钛矿基底中任意一种。