[发明专利]用于晶片处理的方法和装置有效
| 申请号： | 201610963012.3 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106684024B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | T·费舍尔;G·拉克纳;M·勒彻;W·H·莱吉布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了用于晶片处理的方法和装置。在一个实施例中，该方法包括：在接收器上提供晶片，在晶片的边缘处照射光，并且基于经过晶片边缘的光处理接收器上的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理晶片的方法，所述方法包括：/n在接收器上提供所述晶片；/n在所述晶片的边缘处照射光；以及/n基于经过所述晶片的边缘的光，处理所述接收器上的所述晶片，/n其中照射所述光包括：在所述光经过所述晶片的边缘之前，在所述接收器的表面处反射所述光。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
