[发明专利]一种三端输出的叉指状背接触太阳电池在审
| 申请号： | 201610963218.6 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106340549A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;李圣浩;吴伟梁 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三端输出的背接触太阳电池，包括电池基体，该电池基体具有前表面和背表面，所述的背表面上设有高掺杂p+区和高掺杂n+区，所述的高掺杂p+区和高掺杂n+区与所述电池基体的交界面形成PN结，所述的高掺杂p+区和高掺杂n+区分别引出电流输出端，所述的电池基体的前表面设有PN结，形成第三个电流输出端。本太阳电池能够促进太阳电池内部光生载流子的双向流动，减少光生载流子的复合，提高太阳电池的输出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输出 叉指状背 接触 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种三端输出的背接触太阳电池，包括电池基体，该电池基体具有前表面和背表面，所述的背表面上设有高掺杂p+区和高掺杂n+区，所述的高掺杂p+区和高掺杂n+区与所述电池基体的交界面形成PN结，所述的高掺杂p+区和高掺杂n+区分别引出电流输出端，其特征在于：所述的电池基体的前表面设有PN结，形成第三个电流输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610963218.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种音视频数据处理方法和装置
- 下一篇：多媒体状态的识别方法、装置及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
