[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610964304.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108022881B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括核心区和外围区；在所述基底中设置多个隔离结构；形成覆盖基底和隔离结构的栅介质层；形成覆盖核心区栅介质层的第一阻挡层；在第一阻挡层和外围区的栅介质层上分别形成第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；在第一伪栅电极层和第二伪栅电极层之间的基底上形成层间介质层；去除第一伪栅电极层和第二伪栅电极层，在层间介质层内形成露出第一阻挡层的第一开口和露出栅介质层的第二开口；去除第一开口底部的第一阻挡层和栅介质层；在第一开口和第二开口内形成金属层。本发明提供的晶体管的形成方法提高了晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括核心区和外围区；在所述基底中设置多个隔离结构；形成覆盖基底和隔离结构的栅介质层；形成覆盖核心区栅介质层的第一阻挡层；在所述核心区的第一阻挡层和外围区的栅介质层上分别形成第一伪栅电极层和第二伪栅电极层；在所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层之间的基底上形成层间介质层；去除所述第一伪栅电极层和第二伪栅电极层，在所述层间介质层内形成露出第一阻挡层的第一开口和露出栅介质层的第二开口；去除所述第一开口底部的第一阻挡层和栅介质层；在所述第一开口和第二开口内形成金属层，位于第一开口内的金属层用于构成第一栅极结构，位于第二开口内的金属层和栅介质层用于构成第二栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610964304.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：表面改性的细纤维
- 下一篇：一种芯片的安全启动方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
