[发明专利]基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件有效
| 申请号： | 201610965098.3 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106681027B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 简碧园;罗国强;王宏 | 申请（专利权）人： | 广州科技职业技术大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 舒剑晖 |
| 地址： | 510550 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构及非互易器件。该单向慢光缺陷波导结构中多根第二介质柱在成列设置的第一介质柱的两侧分布且在两侧分别周期性排列成二维磁性光子晶体。该单向慢光缺陷波导结构及非互易器件通过在磁性光子晶体中插入成列设置的第一介质柱构成缺陷结构，当在第一介质柱两侧的第二介质柱构成的二维磁性光子晶体区域施加磁场，如在+Z方向上施加相反的外界偏置磁场，可以构成两个方向相同的单向边界模式，以形成正向耦合，可以实现电磁波的单向传输和慢光特性。此外，该单向慢光缺陷波导结构克服了传统光隔离器等光互易器件体积大、损坏大及集成困难的问题，在光通讯器件等非互易器件中具有广阔的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 光子 晶体 单向 缺陷 波导 结构 非互易 器件 | ||
【主权项】：
一种基于磁性光子晶体的单向慢光缺陷波导结构，其特征在于，包括第一介质柱及第二介质柱，所述第一介质柱及所述第二介质柱均有多根；所述第一介质柱的材料为铁磁性材料，多根所述第一介质柱排成至少一列；所述第二介质柱的材料为磁光材料，多根所述第二介质柱在成列设置的所述第一介质柱的两侧分布且在两侧分别周期性排列成二维磁性光子晶体。
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