[发明专利]半导体薄膜和薄膜晶体管、其制作方法、相关装置有效
| 申请号： | 201610966561.6 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108011041B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管的稳定性，提升薄膜晶体管的性能。半导体薄膜包括叠层设置的n型半导体层和p型半导体层，以及位于n型半导体层和p型半导体层之间与n型半导体层和p型半导体层接触的自组装层；自组装层的材料为磷酸酯类自组装材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 薄膜晶体管 制作方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜，其特征在于，包括叠层设置的n型半导体层和p型半导体层，以及位于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触的自组装层；所述自组装层的材料为磷酸酯类自组装材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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