[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610966683.5 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108010966B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦;蒋鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有目标材料层；在所述目标材料层上形成若干间隔排列的第一间隙壁；进行第一等离子体处理，以改性所述第一间隙壁形成改性的第一间隙壁；形成第二间隙壁材料层，以覆盖所述改性的第一间隙壁和部分所述目标材料层的表面；进行第二等离子体处理，以改性所述第二间隙壁材料层位于所述改性的第一间隙壁顶面上的部分以及位于所述目标材料层表面上的部分，从而形成改性的第二间隙壁材料层；去除所述改性的第一间隙壁和所述改性的第二间隙壁材料层，以形成若干间隔排列的第二间隙壁。本发明的制造方法，提高了器件的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有目标材料层；在所述目标材料层上形成若干间隔排列的第一间隙壁；进行第一等离子体处理，以改性所述第一间隙壁形成改性的第一间隙壁；形成第二间隙壁材料层，以覆盖所述改性的第一间隙壁和部分所述目标材料层的表面；进行第二等离子体处理，以改性所述第二间隙壁材料层位于所述改性的第一间隙壁顶面上的部分以及位于所述目标材料层表面上的部分，从而形成改性的第二间隙壁材料层；去除所述改性的第一间隙壁和所述改性的第二间隙壁材料层，以形成若干间隔排列的第二间隙壁。
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