[发明专利]复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法

摘要

本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。

主权项

1.一种复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，其特征在于，该方法包含：S1、依据化合物半导体器件数值分析所需的器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；S2、确定每种典型数据类型所对应的成员赋值语法规则；S3、确定结构描述文件的组成规则，将化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；S4、生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；S5、依据数值计算过程高效要求，确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；所述高效要求为：各种数据在文件储存的位置固定，数值计算软件会顺序读取相关数据；链表数据格式转换成固定维数数组格式；将实验数据转换成偏微分方程组中的物理模型参数；S6、按照S5的要求，将以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成以模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件，供数值计算使用。