[发明专利]一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH₃)₂)₅和NH₃等离子体，制备Ni‑C‑N薄膜的反应原料为NiCp₂和NH₃等离子体。本发明通过交替生长Ta‑C‑N薄膜和Ni‑C‑N薄膜的方式向TaN薄膜中掺入Ni和C，控制TaN薄膜中的Ni和C的含量可以改善薄膜的导电性和调控阻挡层的阻挡特性。本发明的制备方法沉积温度低，制备的薄膜组成和厚度均匀性好，保形性佳，薄膜厚度和成分可控且电阻率较低，并且与目前的Cu互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，具有很好的市场应用前景。

主权项

1.一种抗铜扩散阻挡层薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜；制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH₃)₂)₅和NH₃等离子体，制备Ni‑C‑N薄膜的反应原料为NiCp₂和NH₃等离子体。