[发明专利]一种物理气相沉积镀膜过程中区域保护方法有效
| 申请号： | 201610967115.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106567037B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李睿;叶壮;于春旭;刘继奎;孟令通;于国庆;李利 | 申请（专利权）人： | 北京控制工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种物理气相沉积镀膜过程中区域保护方法，首先使用低能量的离子对待镀膜导电环或其余物体表面进行镀膜，然后使用除料加工手段去除表面中希望镀膜区域的镀层，使用高能量的离子对表面镀膜，最后使用除料加工手段去除导电环表面中不希望镀膜区域的镀层，使得不希望镀膜区域本身材料完全暴露。本发明方法与现有技术相比，不需专门的保护罩制作、保护罩粘接等费时费力的手段，仅使用镀膜、除料两种工艺手段即可实现区域保护，具有所需设备少、效率高、结合力强、镀层不易脱落的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 镀膜 过程 区域 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积镀膜过程中区域保护方法，其特征在于包括如下步骤：(1)使用低能量的离子对导电环表面进行镀膜；所述的导电环表面包括希望镀膜区域、不希望镀膜区域；(2)使用除料加工手段去除导电环表面中希望镀膜区域的镀层；(3)使用高能量的离子对导电环表面镀膜；(4)使用除料加工手段去除导电环表面中不希望镀膜区域的镀层，使得不希望镀膜区域本身材料完全暴露。
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