[发明专利]一种聚吡咯膜的制备方法及其超级电容性能有效
| 申请号： | 201610967270.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106398207B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 盖利刚;白娜娜;班青 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | C08L79/04 | 分类号： | C08L79/04;C08J5/18;H01G11/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250353 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚吡咯膜及其制备方法和应用，所述聚吡咯膜在波长为320、440、463和540 nm处有吸收峰；所述聚吡咯膜的红外光谱的特征吸收，为1545 cm–1、1466 cm–1、1305 cm–1、1182 cm–1、1092 cm–1、1043 cm–1、915 cm–1、787 cm–1、和678 cm–1。本发明还提供所述聚吡咯膜的制备方法。聚吡咯膜的用途，用于工作电极和超级电容器。本发明所合成的大尺寸、自持聚吡咯薄膜，不仅适合于研究聚吡咯膜的力学、电子学和光学等基本物化性质；而且方便裁剪，适用于组装柔性超级电容器或电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吡咯 制备 方法 及其 超级 电容 性能 | ||
【主权项】：
1.一种聚吡咯膜的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：a.将水置于容器中，冷冻，使形成一光滑、平整的冰面；b.将预冷的氧化剂水溶液倾倒在步骤a的冰面上，冷冻，使形成一光滑、平整的含氧化剂的冰层；c.将吡咯单体溶解在有机溶剂中，预冷，然后将其倾倒在步骤b的含氧化剂的冰层表面，冷冻条件下保持5min到6h，得冰支撑的聚吡咯膜；d.使聚吡咯膜下面的冰层融化，使膜与冰层剥离，将膜水洗，冷冻干燥，得自持聚吡咯膜；所述聚吡咯膜，其特征在于：所述聚吡咯膜的结构单元为：![]()
其中n为52～56，Mw/Mn为1.5～2.5；所述聚吡咯膜，能在波长200–800nm的紫外‑可见光范围内，分别在320、440、463和540nm处有吸收峰；所述聚吡咯膜，其红外光谱的特征吸收，为1545cm–1、1466cm–1、1305cm–1、1182cm–1、1092cm–1、1043cm–1、915cm–1、787cm–1、和678cm–1。
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