[发明专利]一种高导热量子点薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610968220.2 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106486571B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 郑怀;刘胜;雷翔;刘洁;周尚儒 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/26;H01L33/28 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡艳 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高导热量子点薄膜的制备方法,包括:S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂,并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂,获得量子点溶液;S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中,利用电纺丝设备制备电纺丝膜;S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜;S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中,真空脱泡后取出,经加热固化,即得到高导热量子点薄膜。本发明简单有效,环保经济,显著提高提升了量子点薄膜的导热性能,从而可改善量子点LED的散热性能和光色稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 导热 量子 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高导热量子点薄膜的制备方法,其特征是,包括步骤:S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂,并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂,获得量子点溶液;S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中,利用电纺丝设备制备电纺丝膜;S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜;S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中,真空脱泡后取出,经加热固化,即得到高导热量子点薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610968220.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PERC电池的退火处理工艺
- 下一篇:一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法