[发明专利]半导体功率元件有效
| 申请号： | 201610969377.7 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107068748B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林奕志 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体功率元件，包含：基板；主动区，具有凹陷区，位于基板上方；第一导电型半导体层，位于凹陷区上方，不与凹陷区相互重叠；栅极，位于该主动区上方，部分设置于凹陷区中；一介电层，位于主动区与栅极之间；以及二维电子气，形成于主动区之中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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