[发明专利]GaN基微显示芯片结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种GaN基微显示芯片结构及制作方法，包括透明的衬底，在衬底上沉积N‑GaN层，在N‑GaN层表面设置若干呈阵列分布的像素显示单元；其特征是每一像素单元包括依次设置在N‑GaN层表面的量子阱、P‑GaN层，在P‑GaN层表面设置ITO透明导电层和反射层，在像素单元的反射层上设置共晶焊阳极；所述每个像素单元的周侧由凹槽相隔离，在每个像素单元的周侧包覆绝缘隔离层；在所述像素单元的阵列外围设置共晶焊阴极，共晶焊阴极与N‑GaN层接触。所述凹槽延伸至N‑GaN层中，凹槽的深度为1~1.5μm，凹槽的宽度为2~10μm。本发明提高了LED阵列像素开口率，使显示精度达到5000PPI以上。

主权项

一种GaN基微显示芯片结构，包括透明的衬底，在衬底上沉积N‑GaN层（8），在N‑GaN层（8）表面设置若干呈阵列分布的像素显示单元（10）；其特征是：每一像素单元（10）包括依次设置在N‑GaN层（8）表面的量子阱（7）、P‑GaN层（6），在P‑GaN层（6）表面设置ITO透明导电层（5）和反射层（4），在像素单元（10）的反射层（4）上设置共晶焊阳极（2）；所述每个像素单元的周侧由凹槽相隔离，在每个像素单元的周侧包覆绝缘隔离层（3）；在所述像素单元（10）的阵列外围设置共晶焊阴极（1），共晶焊阴极（1）与N‑GaN层（8）接触。