[发明专利]一种基于纳米网格结构V2O5薄膜的气敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610969993.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106501322B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 尼浩;刘相波;黄为一;王涛;李代林 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 266580 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种基于纳米网格结构V2O5薄膜的气敏传感器及其制备方法，属于气敏材料与气敏传感器制备技术领域。为衬底、薄膜和电极三层结构；最下面是衬底层，选用表面法线方向为(001)的SrTiO3单晶基片；中间是纳米网格结构V2O5薄膜层，长条形状的V2O5晶粒相互垂直的交错排列在SrTiO3单晶衬底上，形成纳米网格结构V2O5薄膜；V2O5晶粒的宽度为150～170nm，晶粒的长度为150～2000nm；最上面是电极层，正负电极覆盖在纳米尺度的网格结构V2O5薄膜表面上，从而形成了基于纳米网格结构V2O5薄膜的气敏传感器。该传感器是一种对多种气体敏感的传感器，在特定的气体环境直接产生电信号，具有响应快、灵敏度高、室温无需加热的特点。该气敏传感器可以获得氨气、气态乙醇、气态丙酮三种气体直接电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 网格 结构 v2o5 薄膜 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米网格结构V2O5薄膜的气敏传感器，其特征在于：为衬底、薄膜和电极三层结构；最下面是衬底层，选用表面法线方向为(001)的SrTiO3单晶基片；中间是纳米网格结构V2O5薄膜层，长条形状的V2O5晶粒相互垂直的交错排列在SrTiO3单晶衬底上，形成纳米网格结构V2O5薄膜；V2O5晶粒的宽度为150～170nm，晶粒的长度为150～2000nm；最上面是电极层，正负电极覆盖在纳米尺度的网格结构V2O5薄膜表面上，从而形成了基于纳米网格结构V2O5薄膜的气敏传感器。
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