[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 201610970309.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106328497B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王鹏 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制备方法，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。上述低温多晶硅薄膜的制作方法制备出的低温多晶硅薄膜晶粒尺寸大，分布均匀，具有优良的电学性能。此外，该方法充分利用了准分子激光能量，有利于降低生产成本，利于实现大规模低成本生产。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜；用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面，以使所述保温层的温度周期性分布；对所述非晶硅薄膜进行激光照射，使得所述非晶硅薄膜晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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