[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第2方向改质层形成步骤，沿着第2分割预定线在晶片的内部形成第2方向改质层。第2方向改质层形成步骤包含T字路加工步骤，在与形成有第1方向改质层的第1分割预定线呈T字路而相交的第2分割预定线的内部形成第2方向改质层。在晶片的加工方法中，在实施T字路加工步骤之前，实施遮光处理步骤，对于与器件的一边呈T字路而相交的第2分割预定线的延长线上的器件的区域实施遮光处理。

主权项

一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第2分割预定线的多层的第2方向改质层；以及分割步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤和该第2方向改质层形成步骤之后，对晶片施加外力，以该第1方向改质层和该第2方向改质层为断裂起点而将该晶片沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线断裂而分割成一个个的器件芯片，该第2方向改质层形成步骤包含如下的T字路加工步骤：在与形成有该第1方向改质层的该第1分割预定线呈T字路而相交的该第2分割预定线的内部形成第2方向改质层，该晶片的加工方法还具有如下的遮光处理步骤：在实施T字路加工步骤之前，对该第2分割预定线的延长线上的器件的区域实施对激光束的透射进行遮光的遮光处理。