[发明专利]一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法有效

专利信息
申请号: 201610970630.0 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN106649216B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 张玮;陆宏波;李欣益;张梦炎;张华辉;杨丞;陈杰;张建琴;郑奕 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: G06F17/22 分类号: G06F17/22;G06F17/50
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 周乃鑫;周荣芳
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法,按照语法规则分别读取化合物半导体器件生长程序文件与各层材料参数文件,同时结合预设的工艺文件与数值仿真分析控制参数生成适合数值仿真分析软件的专属文件,极大地提高了器件结构文件生成的便利性、可靠性、可维护性,同时使得原位分析得以进行,可以应用在各种化合物半导体器件结构的数值模拟与分析中,诸如多结太阳电池、微波器件、光电探测器、激光器等。
搜索关键词: 一种 化合物 半导体器件 生长 程序 文件 转换 方法
【主权项】:
1.一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤S1、建立化合物半导体器件生长程序所涉及的各个半导体材料层的参数库,以参数文件语法规则存储各层半导体材料的参数库形成各个半导体材料层的参数文件,对参数文件编号形成参数库索引文件;步骤S2、建立化合物半导体器件生长程序中不同过程的读取语法规则,通过该读取语法规则分析化合物半导体器件生长程序中材料生长层的参数状态,生成各个半导体材料层的特征说明对象,搜索参数库索引文件并将参数文件读取到器件结构描述文件中;步骤S3、读取并分析工艺文件,根据工艺文件信息确定外界施加工作条件的方向,将工艺文件中的器件几何特征与工作条件直接附加在器件结构描述文件中;步骤S4、读取并分析器件结构附加说明文件,根据附加说明文件特征确定各附加物理对象的位置、特征,并将相关特征按照器件结构附加说明文件的语法规则附加在器件结构描述文件中;步骤S5、读取并分析器件结构数值特征说明文件,根据数值特征说明文件特征确定数值分析的控制参数,并将相关特征按照器件结构描述文件的语法规则附加在器件结构描述文件中;步骤S6、确定所读取的器件结构描述文件的输出语法规则,将器件结构描述文件输出成数值仿真分析软件容易读取的文件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610970630.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top