[发明专利]微机电系统封装

摘要

本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。

主权项

一种微机电系统封装，其特征在于包括：互补式金氧半导体集成电路，其包括互补式金氧半导体衬底及安置在所述互补式金氧半导体衬底上方的互连结构，其中所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层；微机电系统集成电路，其接合到所述互连结构的上表面并与所述互补式金氧半导体集成电路合作而围封所述微机电系统集成电路与所述互补式金氧半导体集成电路之间的空腔，其中所述微机电系统集成电路包括布置在所述空腔中的可移动块状物；以及抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下，其中所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。