[发明专利]QLED的制备方法有效
| 申请号： | 201610971260.2 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409995B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED的制备方法，在电子传输层上沉积发光层之前，对所述电子传输层进行表面处理，包括以下步骤：将所述电子传输层进行氧气等离子体预处理或臭氧处理、以及紫外灯辐射处理，其中，所述紫外灯辐射处理的光子能量大于电子传输材料的有效能带隙。本发明QLED的制备方法，可以有效减少电子传输层材料表面缺陷的浓度、去除有机残留杂质，从而减少电子传输层表面缺陷对激子的淬灭，进而有效地提高QLED器件的发光效率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED的制备方法，其特征在于，在电子传输层上沉积发光层之前，对所述电子传输层进行表面处理，包括以下步骤：将所述电子传输层进行氧气等离子体预处理或臭氧处理后继续保持富氧气氛，进行紫外灯辐射处理，其中，所述紫外灯辐射处理的光子能量大于电子传输材料的有效能带隙。
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