[发明专利]一种光电检测器件、光电检测装置有效
| 申请号： | 201610972490.0 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106299012B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 马占洁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电检测器件、光电检测装置，属于光电检测技术领域，其可解决现有的光电检测器件中，光生电子在公共电极与像素电极形成的电场的作用下，在相邻像素单元中发生串扰的问题。本发明的光电检测器件，包括第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，所述第一公共电极、所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第二公共电极位于所述光电半导体层的与所述第一侧相对的第二侧；所述第二公共电极与位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的所述第一公共电极对应设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 检测 器件 装置 | ||
【主权项】：
一种光电检测器件，其特征在于，包括：第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，所述第一公共电极、所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第一像素电极位于第一像素单元中，所述第二像素电极位于第二像素单元中，所述第二公共电极位于所述光电半导体层的与所述第一侧相对的第二侧；所述第二公共电极与位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的所述第一公共电极对应设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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