[发明专利]一种长波红外滤光片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种长波红外滤光片，其包括：基板和沉积在基板两侧表面上的长波通膜系和短波通膜系，长波通膜系为：A/2.2(0.5LH0.5L)⁴L 1.8(0.5LH0.5L)⁸L 1.4(0.5LH0.5L)⁸L 0.8(0.5LH0.5L)⁴1.4H 0.52L/S，短波通膜系为：A/1.8(0.5HL0.5H)¹¹(0.5HL0.5H)¹²1.5(0.5LH0.5L)⁷(0.5LH0.5L)¹⁰0.85(0.5LH0.5L)¹⁰/S，膜系中的符号含义：A为空气，S为Ge基底，H为高折射率材料Ge，L为低折射率材料ZnS。本发明滤光片达到优良的技术指标，背景深度高，透射带的上升和下降沿陡度分别为2％和2.2％，通带10.3μm～11.3μm平均透过率达88％，截止带最大透过率小于1％，可起到限制光谱范围，抑制背景干扰，提高目标分辨率。

主权项

1.一种长波红外滤光片的制备方法，所述长波红外滤光片包括：基板(2)和沉积在所述基板(2)两侧表面上的长波通膜系和短波通膜系，长波通膜系为：A/2.2(0.5LH0.5L)4L 1.8(0.5LH0.5L)8L 1.4(0.5LH0.5L)8L 0.8(0.5LH0.5L)4 1.4H 0.52L/S，短波通膜系为：A/1.8(0.5HL0.5H)11(0.5HL0.5H)12 1.5(0.5LH0.5L)7(0.5LH0.5L)100.85(0.5LH0.5L)10/S，膜系中的符号含义：A为空气，S为基板(2)，选用Ge基底，H为高折射率材料Ge，L为低折射率材料ZnS；其特征在于，制备方法包括以下步骤：S1：真空室清洁；S2：镀膜前基板清洗；S3：真空室准备在真空室电子枪坩埚内预置镀膜材料锗、硫化锌；S4：膜层镀制打开离子源，用离子束清洗基板；按照基板两侧表面上的长波通膜系和短波通膜系结构，利用电子束蒸镀方法进行锗膜层沉积，利用离子束辅助的电子束蒸镀方法进行硫化锌膜层沉积；所述步骤S4中，将锗和硫化锌交替蒸镀到基板表面时，锗膜沉积时，控制沉积速率0.5‑0.8nm/s；硫化锌膜沉积时，离子源氩气气体流量18±2sccm，离子源束压180V～220V，离子源束流80V～110V，沉积速率0.5‑0.8nm/s。