[发明专利]阴阳离子共掺杂高光输出低余辉闪烁体材料在审
| 申请号： | 201610974106.0 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108059957A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 叶崇志 | 申请（专利权）人： | 上海新漫晶体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;C09K11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201821 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种阴阳离子共掺杂高光输出低余辉闪烁体材料，所述阴阳离子共掺杂高光输出低余辉闪烁体材料采用如下化学式：Lu |
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| 搜索关键词： | 阴阳 离子 掺杂 输出 余辉 闪烁 材料 | ||
【主权项】：
1.一种阴阳离子共掺杂高光输出低余辉闪烁体材料，其特征在于，所述阴阳离子共掺杂高光输出低余辉闪烁体材料采用如下化学式：Lu2-y Yy-z-x Cex Mz SiO5-n/2 Rn 式中：M代表二价碱土金属子，R表卤族离子，x大于或等于0.0001，小于或等于0.1；z大于或等于0.0001，小于或等于0.1；n大于或等于0，小于或等于0.01。
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