[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610974692.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106997903A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈发祥;李泓纬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法，其中薄膜晶体管具有电阻值较低的第一图案化半导体层与电阻值较高的第二图案化半导体层，且第一图案化半导体层离栅极较近，而第二图案化半导体层离漏极较近，因此可以减少背通道受漏极影响所产生的额外载流子的数量，以降低薄膜晶体管的临界电压随着不同漏极电压的改变幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，设置于该基板上；栅极绝缘层，设置于该栅极上；第一图案化半导体层与第二图案化半导体层，设置于该栅极绝缘层上，其中该栅极设置于该基板与该第一图案化半导体层之间，该第一图案化半导体层设置于该第二图案化半导体层与该栅极绝缘层之间，且该第一图案化半导体层的面积大于该第二图案化半导体层的面积；以及漏极与源极，设置于该第一图案化半导体层上，并与该第一图案化半导体层电连接。
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