[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其中，所述量子点发光层至少有一面设置有成周期排布的多个凹槽。本发明通过在发光层中设置成周期排布的凹槽，增加载流子传输层与量子点发光层材料之间的接触面积，从而提高载流子注入量子点发光层的效率；还可减少载流子在量子点之间传输的阻隔，使更多的激子可通过载流子直接注入或较短的量子点之间迁移形成；还具有降低量子点之间解离激子的作用；还可减少因载流子注入、传输不平衡导致形成大量激子‑载流子的三体结构，减少激子猝灭；同时还可利用光栅耦合原理，增加二极管的光耦合以及光出射效率。

主权项

一种量子点发光二极管器件，依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其特征在于，所述量子点发光层至少有一面设置有成周期排布的多个凹槽。