[发明专利]一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法有效
申请号: | 201610975301.5 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN106340570B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 刘正新;孟凡英;石建华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/67;H01L21/3205 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物(TCO)薄膜的镀膜设备及镀膜方法,其中,所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点,把两种镀膜有效地融合,针对器件中对TCO薄膜的不同需求,可以在不暴露大气的条件下,连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜,获得高速的沉积速率,同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜,且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 制作 透明 导电 氧化物 薄膜 镀膜 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于,所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源;所述离子镀膜源及溅射镀膜源的镀膜方向相反,其中,所述离子镀膜源位于待镀膜基板的正面的下方,所述溅射镀膜源位于所述待镀膜基板的背面的上方,其中,所述待镀膜基板置于样品架里,所述样品架中设有与所述待镀膜基板尺寸相匹配的开孔,所述开孔为两层结构,上层开孔的尺寸比所述待镀膜基板的外形尺寸略大,下层开孔的尺寸比所述待镀膜基板的外形尺寸略小,在不翻转所述待镀膜基板的条件下,以分别在所述待镀膜基板的不同表面形成所述透明导电氧化物薄膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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