[发明专利]一种低共熔溶剂电沉积铬锰合金镀层的方法在审

专利信息
申请号: 201610975321.2 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN106567110A 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 华一新;武腾;汝娟坚;徐存英;李坚;张启波;李艳;高小兵;苏波;艾刚华;牛平召 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C25D3/66 分类号: C25D3/66
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种低共熔溶剂电沉积铬锰合金镀层的方法,属于表面工程和表面处理技术领域。在惰气环境下,首先将季铵盐与多元醇混合均匀后形成低共熔溶剂,然后向低共熔溶剂中加入三氧化二铬和一氧化锰,制备得到低共熔溶剂电解液;以石墨为阳极,预处理后的基体为阴极,在控制电解液温度为35~75℃、槽电压为1.8~2.8V、阳极与阴极距离为0.6~2.4cm的条件下,在制备得到的低共熔溶剂电解液中电沉积0.5~5h,将电积后的阴极基体经丙酮、蒸馏水冲洗,干燥后即能在阴极基体上得到铬锰合金镀层。采用该方法可制备得到的铬锰合金镀层光亮致密平整,与基体结合能力强,耐磨性及耐腐蚀性优异,避免了六价铬及镀液的危害,环境友好。
搜索关键词: 一种 低共熔 溶剂 沉积 合金 镀层 方法
【主权项】:
一种低共熔溶剂电沉积铬锰合金镀层的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)在惰气环境下,首先将季铵盐与多元醇按照摩尔比为2~4:1~2混合均匀后形成低共熔溶剂,然后向温度为20~80℃的低共熔溶剂中加入三氧化二铬和一氧化锰,制备得到低共熔溶剂电解液;(2)以石墨为阳极,预处理后的基体为阴极,在控制电解液温度为35~75℃、槽电压为1.8~2.8V、阳极与阴极距离为0.6~2.4cm的条件下,在步骤(1)制备得到的低共熔溶剂电解液中电沉积0.5~5h,将电积后的阴极基体经丙酮、蒸馏水冲洗,干燥后即能在阴极基体上得到铬锰合金镀层。
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