[发明专利]一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201610975389.0 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN106450030A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;阮崇鹏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构，包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层；所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个；所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成。本发明还公开上了一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法。本发明实现了在最小化器件厚度，有利于柔性器件正常使用的同时，可以获得优良的水氧隔绝性能，制作工艺简单，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 半导体 薄膜 电子器件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构，其特征在于，包括生长于柔性半导体薄膜电子器件之上的水氧阻隔层/导电层组合结构和生长于水氧阻隔层/导电层组合结构之上的有机保护层；所述水氧阻隔层/导电层组合结构为一个或两个；所述水氧阻隔层/导电层组合结构由水氧阻隔层及生长于其上的导电层构成；所述水氧阻隔层的材料由单层或多层薄膜构成；所述薄膜由Al2O3，Si3N4，SiO2，TiO2，MgO，ZrO2，ZnO中的一种以上材料制备而成；所述薄膜厚度为10nm～1000nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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