[发明专利]一种垂直结构硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种垂直结构硅太阳能电池及其制造方法，包括钝化减反膜、其底部设有的硅衬底、硅衬底两侧依次分别设有的掺杂层，掺杂层两侧分别设有第一电极和第二电极，还包括设置在硅衬底底部，并覆盖所有掺杂层和电极底部端面的钝化膜。本发明具有结构简单，工艺流程简化，效率高及成本低廉的优点，并且能输出高电压，低电流，在较高的入射光功率下仍能保持较高转换效率,因此除了可以用于常规光伏发电，还可以用于高倍聚光及大功率激光输能。

主权项

一种垂直结构硅太阳能电池，其特征是：包括：一钝化减反膜(1)；一硅衬底(2)，该硅衬底(2)制作在钝化减反膜(1)下的中间部位；一第一掺杂层(3)，该第一掺杂层(3)制作在硅衬底(2)的一侧，其长度与硅衬底(2)侧面长度相同；一第二掺杂层(4)，该第二掺杂层(4)制作在硅衬底(2)与第一掺杂层(3)相对的另一侧，其长度与硅衬底(2)侧面长度相同；一第三掺杂层(5)，该第三掺杂层(5)制作在第二掺杂层(4)的表面，其长度与第二掺杂层(4)相同；一第四掺杂层(6)，该第四掺杂层(6)制作在第一掺杂层(3)的表面，其长度与第一掺杂层(3)相同；一第一电极(7)，该第一电极(7)制作在第四掺杂层(6)的表面，其长度与第四掺杂层(6)相同；一第二电极(8)，该第二电极(8)制作在第三掺杂层(5)的表面，其长度与第三掺杂层(5)相同；一钝化膜(9)，该钝化膜(9)制作在硅衬底(2)的下部，覆盖第一掺杂层(3)、第二掺杂层(4)、第三掺杂层(5)、第四掺杂层(6)、第一电极(7)和第二电极(8)中与硅衬底(2)底部相同一侧的端部；该电池通过多个上述基本单元两侧的第一电极(7)和第二电极(8)串接而成。