[发明专利]超短沟道晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610976145.4 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN106653854A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 谢立;张广宇;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人： | 黄小临,冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及超短沟道晶体管及其制造方法。一实施例提供一种晶体管，包括衬底；石墨烯层，设置在所述衬底上，并且包括由间隙分隔开的第一部分和第二部分；半导体层，覆盖所述石墨烯层和所述间隙；源极电极，设置在所述半导体层的与所述石墨烯层的第一部分对应的部分上并且延伸到所述衬底上，从而接触所述石墨烯层的第一部分的侧部；以及漏极电极，设置在所述半导体层的与所述石墨烯层的第二部分对应的部分上并且延伸到所述衬底上，从而接触所述石墨烯层的第二部分的侧部。 | ||
| 搜索关键词： | 超短 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：衬底(101/102，201)；石墨烯层(103)，设置在所述衬底上，并且包括由间隙分隔开的第一部分和第二部分；半导体层(104)，覆盖所述石墨烯层和所述间隙；源极电极(108)，设置在所述半导体层的与所述石墨烯层的第一部分对应的部分上，与所述间隙分隔开一定距离，并且延伸到所述衬底上，从而接触所述石墨烯层的第一部分的侧部；以及漏极电极(108)，设置在所述半导体层的与所述石墨烯层的第二部分对应的部分上，与所述间隙分隔开一定距离，并且延伸到所述衬底上，从而接触所述石墨烯层的第二部分的侧部。
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