[发明专利]三探头密度测井的围岩校正方法及装置有效

专利信息
申请号: 201610976156.2 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN106522919B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 吴文圣;曲汉武 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: E21B47/00 分类号: E21B47/00;E21B49/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种三探头密度测井的围岩校正方法及装置。该方法包括:分析无泥饼和有泥饼条件下围岩对长、中、短三探测器密度的影响规律;根据密度测井仪器三探头测量的密度值大小,选择相对应情况下的围岩校正公式对测量的三个密度值分别进行围岩校正;由三个校正后的密度值得到仪器对地层测量密度值。本发明可以在不同的围岩厚度和有无泥饼的条件下校正围岩对地层密度测井的影响,从而得到更准确的地层密度测井值。
搜索关键词: 探头 密度 测井 围岩 校正 方法 装置
【主权项】:
1.一种三探头密度测井的围岩校正方法,其特征在于,所述方法包括:分析无泥饼和有泥饼条件下围岩对长、中、短三探测器密度的影响规律;根据密度测井仪器三探头测量的密度值大小,选择相对应情况下的围岩校正公式对测量的三个密度值分别进行围岩校正;由三个校正后的密度值得到仪器对地层测量密度值;根据密度测井仪器三探头测量的密度值大小,选择相对应情况下的围岩校正公式对测量的三个密度值分别进行围岩校正,包括:获取无泥饼情况下的围岩校正公式;获取有泥饼情况下的围岩校正公式;利用获取围岩校正公式对测量的三个密度值分别进行围岩校正;获取无泥饼情况下的围岩校正公式,包括:当ρL=ρM=ρS时:三探头密度值均不需要围岩校正,地层密度值可以是三个探头任意一个探头密度值,也可以是三个探头两两补偿密度值或三个探头密度平均值;其中ρL、ρM、ρS分别为长、中、短探头按一般密度测井公式求取的密度值;当ρLMS时:中、长探测器的围岩校正公式为:ρb1=ρML+a1ΔρML其中,ρb1是中、长探测器经过围岩校正后的密度值;ρML为利用中探测器和长探测器进行补偿密度测量得到的密度值;ΔρML为利用中、长源距测量的密度值之差,即ΔρML=ρM‑ρL;系数a1可以由刻度的数据拟合得到;短、中探测器的围岩校正公式为:ρb2=ρSM+a2ΔρSM其中,ρb1是短、中探测器经过围岩校正后的密度值;ρSM为利用短探测器和中探测器进行补偿密度测量得到的密度值;ΔρSM为利用短、中源距测量的密度值之差,即ΔρSM=ρS‑ρM;系数a2可以由刻度的数据拟合得到;短、长探测器的围岩校正公式为:ρb3=ρSL+a3ΔρSL其中,ρb3是短、中探测器经过围岩校正后的密度值;ρSL为利用短探测器和中探测器进行补偿密度测量得到的密度值;ΔρSL为利用短、中源距测量的密度值之差,即ΔρSL=ρS‑ρL;系数a3可以由刻度的数据拟合得到;最终地层密度值可以是ρb1、ρb2、ρb3中的一个,也可以是三者中的平均值。
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