[发明专利]一种功率半导体器件终端结构有效
| 申请号： | 201610976437.8 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN106409884B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张泉;唐龙谷;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率半导体器件终端结构，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的的掺杂浓度。所述功率半导体器件终端结构，通过设置与场限环横向连接的第一pn结延展区，延伸了场限环外边缘区域的pn结曲面，使各场限环都形成类似于JTE的结构，从而弱化场限环外边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的掺杂浓度，还包括与所述场限环或所述第一pn结延展区横向相邻且连接的第二pn结延展区，所述第二pn结延展区与所述第一pn结延展区的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述第一pn结延展区的掺杂浓度；其中，所述第一pn结延展区位于所述场限环靠近芯片主体的一侧。
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