[发明专利]一种雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。

主权项

一种雪崩光电二极管，其特征在于：所述的雪崩光电二极管包括：‑衬底(20)；‑缓冲层(21)，所述的缓冲层(21)布置在所述的衬底(20)上；‑光吸收层(22)，所述的光吸收层(22)布置在所述的缓冲层(21)上,所述的光吸收层(22)为非故意掺杂的本征材料；‑过渡层(23)，所述的过渡层(23)布置在所述的光吸收层(22)上；‑渐变层(24)，所述的渐变层(24)布置在所述的过渡层(23)上；‑电荷层(25)，所述的电荷层(25)布置在所述的渐变层(24)上,所述的电荷层(25)为重掺杂层；‑覆盖层(26)，所述的覆盖层(26)布置在所述的电荷层(25)上，其中，所述的覆盖层(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成，所述的P型中心有源区(27)为P型重掺杂区；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成；‑介质掩膜层(29)，所述的介质掩膜层(29)经由淀积方式布置在所述的覆盖层(26)上，并经由光刻布置电极孔；‑正面电极层(30)，所述的正面电极层(30)布置在所述的介质掩膜层(29)上，并通过所述的介质掩膜层(29)的所述电极孔与所述的覆盖层(26)相接触，实现电连接；‑背面电极层(31)，所述的背面电极层(31)布置在所述的衬底(20)背面；所述的衬底(20)为重掺杂层，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。