[发明专利]纳米级柱状物林的制作方法有效
| 申请号： | 201610977048.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106430083B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 卢马才 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米级柱状物林的制作方法，通过在衬底基板上依次形成第一无机物膜层与光阻层，利用惰性气体等离子体将所述第一无机物膜层上的部分无机物材料溅射转移至光阻层上，在光阻层上形成不连续的第二无机物膜层，然后利用所述不连续的第二无机物膜层作为掩膜，对所述光阻层进行等离子体刻蚀，即可在光阻层表面形成纳米级柱状物林。该方法无需微显影技术即可在光阻层上形成大面积的纳米级柱状物林，能够应用于显示面板的生产中并大幅度降低相关工艺的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 柱状 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级柱状物林的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一无机物膜层(20)；步骤2、在所述第一无机物膜层(20)上涂布光阻材料，采用一道光罩对所述光阻材料进行曝光显影后，得到不完全覆盖所述第一无机物膜层(20)的光阻层(30)；步骤3、采用惰性气体等离子体对所述第一无机物膜层(20)上未被所述光阻层(30)覆盖的区域进行离子轰击，将所述第一无机物膜层(20)上的部分无机物材料溅射转移至所述光阻层(30)的表面，在所述光阻层(30)的表面形成不连续的第二无机物膜层(40)；步骤4、利用所述不连续的第二无机物膜层(40)作为掩膜，采用蚀刻气体等离子体对所述光阻层(30)进行蚀刻，在所述光阻层(30)的表面形成数个纳米级柱状物(50)，所述数个纳米级柱状物(50)组成纳米级柱状物林(60)。
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