[发明专利]一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法

摘要

本发明公开了一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法。该方法是在多孔硅制备完成后，立即将多孔硅薄膜浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解。一方面，由于在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔硅的多孔度沿纵向方向变大或折射率变小；另一方面，在使用NaOH溶液腐蚀和溶解多孔硅的过程中，在纵向方向上，腐蚀液的反应物向外扩散呈现一定梯度，越靠近多孔硅表面，NaOH溶液浓度越高，相反，离多孔硅表面越远，NaOH溶液浓度越小（腐蚀反应物越多），导致沿纵向方向上越向下腐蚀与溶解能力越弱。在一定条件下，二者达到动态平衡，使多孔硅薄膜沿纵向方向其多孔度保持一致性，增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性，改善了多孔硅薄膜纵向物理结构的均匀性。

主权项

一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法，其特征在于，在室温条件下，在多孔硅制备完成后，立即将多孔硅浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解，在多孔硅厚度为0.1‑100μm范围内，腐蚀与溶解的处理时间是0.5‑120min。