[发明专利]改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法

摘要

本申请公开了一种改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法，依次包括处理图形化蓝宝石衬底、生长应力释放层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱有源层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。其中，生长应力释放层为将溅射好所述AlN薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度到500℃‑1000℃，保持反应腔压力为150mbar～600mbar，生长厚度为10nm‑200nm的应力释放层，所述应力释放层为GaN基材料，具体为非掺杂的GaN、掺Si的GaN、或掺Mg的GaN、AlGaN、InGAN、AlInGaN。

主权项

一种改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理图形化蓝宝石衬底、生长应力释放层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱有源层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却，其中，所述处理图像化蓝宝石衬底，为：利用直流磁控反应溅射设备将所述蓝宝石衬底温度加热到500℃‑700℃，通入Ar、N2和O2，用200V～300V的偏压冲击铝靶在所述蓝宝石衬底表面上溅射10nm～200nm厚的AlN薄膜；所述生长应力释放层，为：将溅射好所述AlN薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度到500℃‑1000℃，保持反应腔压力为150mbar～600mbar，生长厚度为10nm‑200nm的应力释放层，所述应力释放层为GaN基材料，具体为：非掺杂的GaN、掺Si的GaN、或掺Mg的GaN、AlGaN、InGAN、AlInGaN。