[发明专利]基于大规模CMOS集成电路的输入静电保护电路及方法在审
| 申请号： | 201610978795.2 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106449637A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 冯海涛;周刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于大规模CMOS集成电路的输入静电保护电路，包括主静电保护电路、电阻和次静电保护电路；所述主静电保护电路输出端接地，输入端用于连接PAD，还通过电阻与次静电保护电路连接，次静电保护电路输出端用于连接内核电路。方法包括：当PAD的输入电压低于16V，主静电保护电路不开启，由次静电保护电路进行静电保护；当PAD的输入电压在16V以上时，主静电保护电路开启，通过电流泄放静电荷，次静电保护电路不工作。本发明占用尽量少的面积，能够快速地泄放加到PAD上的ESD电流，把PAD的电压钳位在一个较低的水平，从而起到保护内部电路的作用；同时输入电路的静电保护在实际应用中输入电压高于电源电压的情况也可以正常起作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 大规模 cmos 集成电路 输入 静电 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
基于大规模CMOS集成电路的输入静电保护电路，其特征在于包括主静电保护电路、电阻和次静电保护电路；所述主静电保护电路输出端接地，输入端用于连接PAD，还通过电阻与次静电保护电路连接，次静电保护电路输出端用于连接内核电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
