[发明专利]一种台面型探测器表面钝化层的生长方法

摘要

本发明公开了一种台面型探测器表面钝化层的生长方法，其包括在低温环境下采用等离子体化学气相沉积工艺在晶圆的台面结构表面形成SiO2钝化膜；在SiO2钝化膜上涂覆聚酰亚胺膜并对聚酰亚胺膜进行梯度固化使聚酰亚胺膜致密；在聚酰亚胺膜上旋涂光刻胶形成光刻胶层，并在光刻胶层上形成曝光区域；对曝光区域的光刻胶层进行显影处理，并对曝光区域的聚酰亚胺膜进行腐蚀，然后去除光刻胶层；对聚酰亚胺膜进行亚胺化处理以使聚酰亚胺膜固定在SiO2钝化膜表面；对暴露出的SiO2钝化膜进行腐蚀以留出电极位置。本发明能够改进台面型探测器钝化质量，有效降低器件表面漏电流，防止器件提前击穿，同时提高器件的可靠性。

主权项

一种台面型探测器表面钝化层的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在低温环境下采用等离子体化学气相沉积工艺在晶圆的台面结构表面形成SiO2钝化膜，其中，所述台面结构底面和顶面的SiO2钝化膜的厚度大于所述台面结构侧面的SiO2钝化膜的厚度，所述低温环境的温度为300～400℃；S2：在所述SiO2钝化膜上涂覆聚酰亚胺膜并对所述聚酰亚胺膜进行梯度固化使所述聚酰亚胺膜致密，所述梯度固化的温度和时间为90℃和30～60min、120℃和50～80min以及90℃和30～60min；S3：在所述聚酰亚胺膜上旋涂光刻胶形成光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成曝光区域；S4：对所述曝光区域的光刻胶层进行显影处理，并对所述曝光区域的聚酰亚胺膜进行腐蚀以暴露出所述SiO2钝化膜，然后去除所述光刻胶层；S5：对所述聚酰亚胺膜进行亚胺化处理以使所述聚酰亚胺膜固定在所述SiO2钝化膜表面；S6：对所述暴露出的SiO2钝化膜进行腐蚀以留出电极位置。