[发明专利]电极制备方法、电极部件和特种加工平台有效

专利信息
申请号: 201610979028.3 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN106346093B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 郭登极;伍晓宇;雷建国;徐斌;罗烽;阮双琛 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: B23H1/04 分类号: B23H1/04;B23H7/22
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 吴黎
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种电极制备方法、电极部件和特种加工平台,其中,所述制备方法包括:将用于制备电极的基底固定在加工平台上;向基底的待成形区域提供原料气体;向基底的待成形区域照射聚焦离子束,以在待成形区域生长电极。相对于现有技术中磨、削等方式制备电极,一方面采用聚焦离子束的方式制备电极,能够提高电极精度,通常聚焦离子束的精度能够达到纳米级;另一方面,由于采用生长的方式制备电极,相对于磨削等摒弃多余原料的方式,能够更有效地利用原料,从而节省了电极制备成本。此外,采用生长式制备电极,可制备具有复杂形状的三维电极,进行较为复杂的三维加工。
搜索关键词: 电极 制备 聚焦离子束 成形区域 电极制备 电极部件 特种加工 基底 生长 复杂形状 基底固定 加工平台 三维电极 三维加工 原料气体 纳米级 有效地 磨削 照射
【主权项】:
1.一种电极制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将用于制备电极的基底固定在加工平台上;向所述基底的待成形区域提供原料气体;向所述基底的待成形区域照射聚焦离子束,以在所述待成形区域生长电极;其中,在所述向所述基底的待成形区域照射聚焦离子束包括:以侧向扫描的方式按预设路径向所述基底的待成形区域照射聚焦离子束。
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