[发明专利]二次热注入法制备二元相量子点的方法有效

专利信息
申请号: 201610979032.X 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN106544018B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 程陆玲;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00;C01G21/21
代理公司: 44237 深圳中一专利商标事务所 代理人: 黄志云<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种二次热注入法制备二元相量子点的方法,包括以下步骤:提供阳离子前驱体、第一阴离子前驱体、第二阴离子前驱体;在90‑150℃条件下进行第一次热注入处理,将所述第一阴离子前驱体注入所述阳离子前驱体中,得到预制二元相量子点溶液;在90‑150℃条件下进行第二次热注入处理,在所述预制二元相量子点溶液中注入所述第二阴离子前驱体,经冷却、纯化处理,得到二元相量子点。
搜索关键词: 二次 注入 法制 二元 量子 方法
【主权项】:
1.一种二次热注入法制备二元相量子点的方法,包括以下步骤:/n提供阳离子前驱体、第一阴离子前驱体、第二阴离子前驱体;/n在90-150℃条件下进行第一次热注入处理,将所述第一阴离子前驱体注入所述阳离子前驱体中,得到预制二元相量子点溶液;/n在90-150℃条件下进行第二次热注入处理,在所述预制二元相量子点溶液中注入所述第二阴离子前驱体,经冷却、纯化处理,得到二元相量子点;/n其中,所述第二阴离子前驱体与所述预制二元相量子点溶液中的残余阳离子前驱体的摩尔比为2:1-8:1;/n所述第二次热注入处理与所述第二次热注入处理的温度相同,所述第二次热注入处理的时间是所述第一次热注入处理时间的2-5倍;/n所述第一阴离子前驱体和所述第二阴离子前驱体相同或不同,但所述第一阴离子前驱体和所述第二阴离子前驱体的阴离子源相同。/n
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