[发明专利]一种外反银镜及其低温镀制方法

摘要

本发明涉及一种外反银镜及制备工艺方法，尤其是一种外反银镜及其低温镀制方法，属于光学薄膜的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述外反银镜，包括用于承载银膜层的基板，所述银膜层通过粘结层粘结在基板上，且在所述银膜层上覆盖有阻挡层；所述粘结层包括镀制在基板上的氧化铝粘结膜层以及镀制在所述氧化铝粘结膜层上的镍膜层；所述阻挡层包括镀制在银膜层上的氧化铝阻挡膜层以及依次镀制在氧化铝阻挡膜层上的第一二氧化硅阻挡膜层、氧化钛膜层以及第二二氧化硅阻挡膜层。本发明结构紧凑，提高外反银镜的表面质量和耐环境性能，工艺步骤简单，降低外反银镜的制备成本，提高外反银镜的制备效率，安全可靠。

主权项

1.一种外反银镜的低温镀制方法，其特征是，所述低温镀制方法包括如下步骤：步骤1、提供制备外反银镜所需的膜料，并将所述膜料置于带RF源的真空镀膜机内，且充分预熔；将真空镀膜机的真空度调至小于1.0×10‑3Pa，且使得真空镀膜机处于常温状态；步骤2、对基板进行清洗，并在基板清洗后，在基板上镀制所需厚度的氧化铝粘结膜层，其中，真空镀膜机镀制氧化铝粘结膜层的工作状态为：控制氧化铝膜料的蒸发速率在0.3～0.35nm/s，离子源辅助参数为Beam V=100～130V、Beam A=550～600mA、Gas1=30~35sccm、Gas2=8~10sccm、Gas3=8sccm；步骤3、关闭RF离子源，并在上述镀制的氧化铝粘结膜层上镀制所需厚度的镍膜层，其中，真空镀膜机镀制镍膜层的工作状态为：控制镍膜料的蒸发速率在0.2～0.25nm/s，辐射温度为40℃~45℃；步骤4、在上述镍膜层上镀制所需厚度的银膜层，真空镀膜机镀制银膜层的工作状态为：控制银膜料的蒸发速率稳定在2～3nm/s，辐射温度为40℃~45℃；步骤5、启动RF离子源，在上述银膜层上镀制氧化铝阻挡膜层，其中，真空镀膜机镀制氧化铝阻挡膜层的工作状态为：控制氧化铝膜料的蒸发速率0.3～0.35nm/s，离子源辅助参数为Beam V=500～550V、Beam A=550～600mA、Gas1=50～55sccm、Gas2=0~5sccm、Gas3=8sccm，氧化铝阻挡膜层厚度为25~30nm；在镀制前20nm的氧化铝阻挡膜层时不充氧气，镀制后5~10nm的氧化铝阻挡膜层时充氧，氧气压力为P=1.40×10‑2Pa～1.5×10‑2Pa；步骤6、在上述的氧化铝阻挡膜层上镀制所需厚度的第一二氧化硅阻挡膜层，真空镀膜机镀制第一二氧化硅阻挡膜层的工作状态为：控制二氧化硅膜料的蒸发速率为蒸发速率0.7～0.8nm/s，离子源辅助参数为Beam V=800～850V、Beam A=900～950mA、Gas1=50～55sccm、Gas2=0~5sccm、Gas3=8sccm，辐射温度在40℃~50℃；步骤7、在上述第一二氧化硅阻挡膜层上镀制所需厚度的氧化钛膜层，真空镀膜机镀制氧化钛膜层的工作状态为：控制氧化钛膜料的蒸发速率0.35～0.4nm/s，离子源辅助参数为Beam V=1100～1200V、Beam A=900～1000mA、Gas1=55～60sccm、Gas2=8～10sccm、Gas3=8sccm，充氧压力为P=1.85×10‑2Pa～1.95×10‑2Pa，辐射温度为50℃~60℃；步骤8、在上述氧化钛膜层上镀制所需厚度的第二二氧化硅阻挡膜层，真空镀膜机镀制第二二氧化硅膜层的工作状态为：控制二氧化硅膜料的蒸发速率0.7～0.8nm/s，离子源辅助参数为Beam V=800～850V、Beam A=900～950mA、Gas1=50～55sccm、Gas2=0~5sccm、Gas3=8sccm，辐射温度在50℃~60℃；步骤9、关闭离子源，静置所需时间后，将镀制得到的外反银镜取出。