[发明专利]一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法在审
| 申请号： | 201610979266.4 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108073035A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法，涉及半导体技术领域。所述修复方法包括：提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；在所述缺陷孔中形成透明材料。通过本发明的修复方法，在光刻掩膜版的透明基底上的缺陷孔中形成透明材料，以减小照射到缺陷孔中的入射光和照射到缺陷孔外侧的透明基底表面上的入射光之间的光程差，进而避免由于缺陷孔在晶圆上成像问题的出现，改善光刻掩膜版的质量，提高利用该光刻掩膜版成像的准确性和精度，进而提高半导体器件制备工艺的良率和形成器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻掩膜版 基底 修复 透明基底表面 透明材料 遮光图案 入射光 透明 照射 半导体技术领域 半导体器件制备 成像问题 光程差 成像 减小 晶圆 良率 外部 | ||
【主权项】：
1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述方法包括：提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；在所述缺陷孔中形成透明材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610979266.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜及制备方法和应用
- 下一篇：模板复制
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
