[发明专利]一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法

摘要

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种p型氧化锌薄膜制备装置，所述装置为原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括反应腔室，所述反应腔室内从上至下依次设有上电极罩、绝缘盘、下电极盘和加热盘；所述上电极罩与正电极相连接，所述绝缘盘为环形，所述下电极盘与所述加热盘导通与电源负极相连接并共地，所述下电极盘的中间位置用于放置衬底；所述上电极罩产生的电场的方向相对所述衬底表面的夹角呈现空间的连续梯度变化。本发明还提供一种p型氧化锌薄膜制备方法。本发明采用原子层沉积方法，通过在衬底上方添加连续梯度变化的电场，诱导更多的氮原子轰击到衬底表面，提高了薄膜中的氮掺入浓度。

主权项

1.一种p型氧化锌薄膜制备装置，所述装置为原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括反应腔室，所述反应腔室内从上至下依次设有上电极罩、绝缘盘、下电极盘和加热盘；所述上电极罩与正电极相连接，所述绝缘盘为环形，所述下电极盘与所述加热盘导通与电源负极相连接并共地，所述下电极盘的中间位置用于放置衬底；所述上电极罩产生的电场的方向相对所述衬底表面的夹角呈现空间的连续梯度变化。