[发明专利]基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法有效
| 申请号： | 201610981246.0 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106567131B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 余丙军;金晨宁;钱林茂;刘潇枭;肖晨;汪红波 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)表面清洗干净，对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理；S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑；S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀，得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法，采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法，即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构，该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压痕 诱导 选择性 刻蚀 单晶硅 表面 针尖 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法，其特征在于包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)表面清洗干净，对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理；S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑；S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀，得到针尖结构。
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