[发明专利]一种N型晶体硅电池的制备方法及其电池、组件和系统

摘要

本发明涉及一种N型晶体硅电池的制备方法及其电池、组件和系统。本发明的一种N型晶体硅电池的制备方法，包括以下步骤制绒、正表面硼扩散及形成硼硅玻璃层、背表面刻蚀、背表面磷扩散、边缘隔离、清洗、镀膜、印刷及烧结。其有益效果是通过调整硼扩散的工艺参数使得硼扩散形成的硼硅玻璃层具备阻挡磷扩散的能力，从而开发出简单的N型晶体硅电池制作工艺，工艺过程简单可控，设备投资低；通过扩散方法形成的pn结相对硼源旋涂或丝印法污染更少、质量更好；由于硼在二氧化硅中的扩散系数高于硅，所以厚的硼硅玻璃层有利于降低p+区域的表面硼浓度从而减少表面复合，提高开路电压。制备的N型晶体硅电池具有较高的开路电压和光电转换效率。

主权项

一种N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的正表面作制绒处理；(2)、将步骤(1)处理后的N型晶体硅基体的制绒面进行硼扩散处理，扩散温度为900‑1000℃，时间为60‑240分钟，扩散过程中引入硼硅玻璃生长促进剂以提高硼硅玻璃层的形成速度和厚度，扩散完成后，在正表面形成p+掺杂区域和硼硅玻璃层；(3)、将硼扩散后的N型晶体硅基体进行清洗处理，去除硼扩散过程中在背表面形成的p+掺杂区域和氧化层；(4)、将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体的背表面进行磷扩散处理；(5)、对步骤(4)处理后的N型晶体硅基体进行边缘隔离处理，从而实现正表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域之间的电绝缘；(6)、将步骤(5)处理后的N型晶体硅基体进行清洗处理，去除正表面的硼硅玻璃层和背表面的磷硅玻璃层；(7)、在步骤(6)处理后的N型晶体硅基体的正表面设置钝化减反膜，在背表面设置钝化膜；(8)、在步骤(7)处理后的N型晶体硅基体的背表面和正表面分别印刷金属浆料形成电极；(9)、将步骤(8)处理后的N型晶体硅基体进行烧结处理，得到N型晶体硅电池。