[发明专利]一种垂直结构LED芯片的制造方法

摘要

一种垂直结构LED芯片的制造方法，仅采用2道光刻工艺，即可完成垂直结构LED芯片的制造，大大简化垂直结构LED芯片的制造工艺，有效降低垂直结构LED芯片的制造难度和成本，使垂直结构LED芯片能实现工业化量产。

主权项

一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层、透明导电层和金属反射层；在所述扩散阻挡层上依次形成种子层和金属衬底，并将所述第一衬底与所述发光结构分开；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第一通孔（第一次光刻）；在所述发光结构表面及第一通孔侧壁形成绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层并延伸至所述N型氮化镓层中的第二通孔（第二次光刻），并在所述第二通孔内填充金属层形成N型电极。