[发明专利]一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法有效
申请号: | 201610983032.7 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN106449345B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 吴智勇;聂钰节;唐在峰;任昱;吕煜坤 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法,在刻蚀腔体闭合状态下去除腔体内堆积的聚合物,所述方法包括:使用低压大流量大功率气体和高压小流量大功率的各向同性等离子刻蚀分别去除腔体下部和内部边角的聚合物,然后通过大流量气体抽放的动作和后续的抽空将腔体内由于刻蚀反应产生的以及悬浮的颗粒排出腔体。定期对腔体采用上述的等离子清洗工艺,可以保证刻蚀腔体内部聚合物堆积量处于较低水平,有效控制颗粒的产生,降低由于颗粒产生的产品缺陷,明显延长开腔保养的时间间隔,实现进一步提高产能,降低制造成本的最终目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 延长 刻蚀 开腔 保养 时间 间隔 方法 | ||
【主权项】:
1.一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法,在刻蚀腔体闭合状态下去除腔体内堆积的聚合物,所述方法步骤如下:步骤01:以低压大流量大功率的各向同性等离子干法刻蚀清除腔体下部深层次聚合物;其具体工艺参数为:腔体内压力小于10mToor,上部电极功率大于1200W,通入流量大于等于300sccm的氧气,通入流量大于等于700sccm的含氟气体,氧气和含氟气体可以分开通入,也可以合并后一起通入,腔体上方的通气孔可以同时打开,向腔体的中间和边缘通气,也可以分别打开,或者只打开中间或边缘的通气孔,干法刻蚀持续时间为4~12分钟;步骤02:关闭射频,通入气体抽放腔体,将腔体内由于上步刻蚀后反应产生的颗粒以及由于射频发生时悬浮在腔体内的颗粒排出腔体;步骤03:关闭气源,直接进行腔体抽空,把残留的颗粒以及滞留在管路的颗粒抽走;步骤04:清除腔体内部边角处的聚合物;关闭射频,再在腔体中通入少量低浓度氟化氢蒸汽,进一步以高压小流量大功率的各向同性等离子干法刻蚀去除腔体内堆积的聚合物;其具体工艺参数为:腔体内压力大于50mToor,上部电极功率大于1200W,通入总流量小于50sccm的氧气和含氟气体,氧气和含氟气体可以分开通入,也可以合并后一起通入,腔体上方的通气孔可以同时打开,向腔体的中间和边缘通气,也可以分别打开,或者只打开中间或边缘的通气孔,干法刻蚀持续时间为40~100秒;步骤05:关闭射频,通入气体抽放腔体,将腔体内由于上步刻蚀后反应产生的颗粒以及由于射频发生时悬浮在腔体内的颗粒排出腔体;步骤06:关闭气源,直接进行腔体抽空,把残留的颗粒以及滞留在管路的颗粒抽走;循环上述的所有步骤,并按聚合物堆积程度调整步骤次序。
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