[发明专利]一种低维碳材料薄膜为极片的超级电容器及制备方法在审

专利信息
申请号: 201610983459.7 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN106449154A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 孙晓刚;蔡满园;邱志文;陈珑;刘珍红;王杰;陈玮;李旭 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01G11/32 分类号: H01G11/32;H01G11/36;H01G11/84;H01G11/86
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种低维碳材料薄膜为极片的超级电容器及制备方法,包括两层由隔膜隔开的电极材料薄膜,两层电极材料薄膜之间的电解质以及电极引线,所述的电极材料薄膜为低维碳材料薄膜,隔膜为PVDF膜或者有机膜,电解质为KOH、H2SO4或者固态电解质。制备包括:(1)将低维碳材料薄膜在电解质中浸泡5min‑12h;(2)将引线粘贴在低维碳材料薄膜材料的外表面;(3)封装得到柔性超级电容器。本发明的柔性超级电容器中采用涂覆、剥离的方法得到低维碳材料薄膜,操作方法简单,制作成本低,可大规模制备,超级电容器的组装简单,为柔性超级电容器的制备提供了一种很好的工艺方法。本发明的超级电容器具有很好的柔性,可用于穿戴电子设备。
搜索关键词: 一种 低维碳 材料 薄膜 超级 电容器 制备 方法
【主权项】:
一种低维碳材料薄膜为极片的超级电容器,包括两层由隔膜隔开的电极材料薄膜,并包括布置在两层电极材料薄膜之间的电解质以及电极引线,其特征是所述的电极材料薄膜为低维碳材料薄膜,隔膜为PVDF膜或者有机膜,电解质为KOH、H2SO4或者固态电解质;所述是低维碳材料薄膜成膜方法,包括以下步骤:1)将低维碳材料以100~500 r/min球磨2‑10h,成细小密实粉体;2)取乙醇、去离子水、N‑甲基吡咯烷酮或丙酮中的一种或几种作为溶剂,球磨好的低维碳材料为基本材料,加粘结剂和分散剂,按低维碳材料:粘结剂:分散剂按81~96:2~9:2~10质量比调浆,配置成1~5%固含量的悬浮液;3)以铝箔或铜箔作为基底,将悬浮液均匀涂覆在表面,烘干,形成薄膜;4)以盐酸、硝酸、硫酸或烧碱作为腐蚀剂,将基底连同薄膜浸泡于腐蚀剂中10~24h,腐蚀基底,取出薄膜,烘干;5)制膜后,在800~1800℃下炭化,再2200~3000℃石墨化,取出压实,制成低维碳材料薄膜;所述的低维碳材料包括碳纳米管、石墨烯、碳纳米颗粒、碳纳米管无纺布或它们的混合体;所述的粘结剂为丁苯橡胶、羧甲基纤维素或聚偏氟乙烯;所述的分散剂为十二烷基苯磺钠或十二烷基硫酸钠中的一种或两种。
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