[发明专利]具有均匀图案的磁性随机存取存储器(MRAM)布局有效

专利信息
申请号: 201610983547.7 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN106531203B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 李康和;金泰焕;李霞;金正丕;升·H·康 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请涉及具有均匀图案的磁性随机存取存储器(MRAM)布局。大型存储器阵列包含大小均匀的虚位胞元以及有效位胞元的均匀图案。大型存储器阵列内的子阵列由所述虚位胞元分离。信号分配电路形成有对应于所述虚位胞元的宽度或高度的宽度或高度,使得所述信号分配电路占据与所述虚位胞元相同的占用面积而不会破坏所述大型阵列上的所述均匀图案。与标准大小位胞元大小类似或比标准大小位胞元大的边缘虚胞元可放置在所述大型阵列的边缘周围以进一步减小图案负载影响。
搜索关键词: 具有 均匀 图案 磁性 随机存取存储器 mram 布局
【主权项】:
1.一种存储器阵列,其包括:邻近的大小均匀的位胞元的图案;以及信号分配电路,其占用一区域,所述区域的宽度和高度对应于整数倍的所述大小均匀的位胞元的宽度和高度。
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