[发明专利]多晶硅薄膜晶体管的生产方法在审
| 申请号： | 201610983571.0 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN106504994A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张豪峰;王国余;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅薄膜晶体管的生产方法，上述多晶硅薄膜晶体管的生产方法，通过在多晶硅薄膜晶体管的生产过程中，进行对多晶硅薄膜离子注入步骤进行实时定量检测，能够很好地提高多晶硅薄膜晶体管产品的良品率，简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜晶体管的生产方法，其特征在于，包括：利用多晶硅薄膜形成有源层；对所述有源层进行离子注入，对离子注入后的所述有源层进行载流子浓度测试；根据对所述有源层的载流子浓度测试的结果，在所述有源层上形成源极和漏极。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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